關於宿州市市管水利工程管理範圍和保護範圍劃定情況的公告
按照省水利廳《轉發關於加快推進水利工程管理與保護範圍劃定工作的通知》(皖水管函〔2019〕50號)精神及《安徽省河湖管理範圍及水利工程管理與保護範圍劃定技術指南(試行)》有關規定,宿州市市管水利工程的管理範圍和保護範圍已依法劃定完成,包括濉
數讀科創板IPO|上海合晶:半導體矽外延片一體化製造商 原材料成本佔比較高
資料顯示,上海合晶已經為全球前十大晶圓代工廠中的7家公司、全球前十大功率器件IDM廠中的6家公司供貨,主要客戶包括華虹宏力、中芯整合、華潤微、臺積電、力積電、威世半導體、達爾、德州儀器、意法半導體、客戶A等行業領先企業
Micro LED外延技術三大挑戰,MOCVD裝置如何攻關?
不過,Micro LED由於生產流程和成本問題,不可能存在分選環節,這也就意味著MOCVD裝置生產的所有外延片的波長範圍必須控制在4nm以內
Enkris 釋出全綵 GaN 系列
透過採用其帶隙調諧技術,Enkris 將其 GaN-on-silicon LED 外延晶圓產品組合擴充套件到 200mm 矽襯底上的全綵 GaN RGB 系列產品(波長:390~650nm)
UV LED襯底材料對比:藍寶石、矽、氮化鋁、碳化矽、氮化鎵
三、氮化鋁襯底氮化鋁單晶襯底具有良好的導熱效能,且其與高Al組分AlGaN材料之間的晶格失配較小,外延生長時材料缺陷密度低,是製備大電流、高功率、長壽命UVC LED晶片及深紫外鐳射器的理想襯底材料
基於碳化矽襯底的寬禁帶半導體外延
引入 AlN 緩衝層能夠有效改善 SiC 表面浸潤層,調控應力,阻擋襯底缺陷向 GaN 外延層的延伸,從而改善 GaN外延層質量
“我是為你好”中的邏輯陷阱,邏輯學詞項概念的運用
本文將用4個小節來講述:邏輯學中的概念或者詞項的內涵和外延,以及在“我是為你好”的邏輯陷阱中該如何分析和解決問題
碳化矽:第三代功率半導體成爆發風口
導電型襯底可用於生長碳化矽外延片,製成耐高溫、耐高壓的碳化矽二極體、碳化矽MOSFET等功率器件,應用於新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智慧電網、航空航天等領域
水晶、石化木皆可人造!且效能不輸天然。談一談水熱反應
可用於人造水晶的高壓反應釜知道了人造水晶的過程,對人造石化木就不難理解了,因為它更為簡單一些,不需要讓二氧化矽以單晶狀態析出
第三代半導體器件製備關鍵環節:外延
(a)GaN/SiC (b)GaN/AIN/SiC外延生長模式三、SiC 的外延(一)SiC on SiC的製備為製作功率器件,需要在碳化矽襯底上生長1層或幾層碳化矽薄膜,目前主流的方法是採用CVD法進行同質外延生長,其優點在於對外延層厚度
電子特氣櫃在半導體外延生長中的作用
特氣系統以耐腐蝕的EP管、氣體洩漏監測報警系統、高精度的質量流量計以及特氣裝置如擁有SEMI S2認證和自動吹掃、自動切換以及緊急情況下的自動安全切斷等功能的電子特氣櫃,來保證外延生長工藝中特種氣體的安全穩定輸送
邏輯——概念之間的關係
b真包含於A四、交叉關係交叉關係指兩個概念的外延之間有且只有一部分重合,它們之間不存在互相排斥
天域半導體確認出席 與行業大咖共議SiC器件外延生長技術
2020年12月29日,在行家說於深圳舉辦的第三代半導體產業高峰論壇上,東莞市天域半導體科技有限公司的生產總監,孔令沂博士,將作《SiC器件外延生長技術及其挑戰》主題分享,為企業剖析行業難點,分享最新技術,敬請期待
7只“外延增長”的主題基金,分析下
62%3、雖然基金目前的評級還是很低,不過按照王栩任職以來的調倉換股,後續可期【P7 總結】這4只基金雖然是一個外延主題,不過各有特點:華安滬港深外延增長混合 (001694):業績最優,換手率最高,個股交易風鵬華外延成長混合 (00122