天域半導體確認出席 與行業大咖共議SiC器件外延生長技術

近幾年來，隨著5G、新能源汽車、AI等新興市場的興起，加上國家把第三代半導體納入十四五規劃以及國內技術的成熟度提升，開始有更多的企業關注或者已經進入了第三代半導體行業。

與第一代、第二代半導體材料相比，SiC（碳化矽）等第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高壓、高功率、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

SiC器件以其獨特的理化效能及半導體特性，突破傳統半導體材料的發展瓶頸，在

汽車電子、充電樁、風能光伏、智慧電網、軌道交通、航天航空、5G通訊

等領域開啟廣泛應用，也是目前技術已經達到並快速推廣商業化的產品。

作為製作各種單極型、雙極型SiC功率器件的關鍵材料，雖然6英寸SiC外延技術已經比較成熟的用於產業鏈，但是也有許多隨著技術發展而持續改進的需求，為了讓產業持續健康的發展，對於SiC器件外延生長技術中的重點及難點問題需要考慮，那麼目前SiC器件外延生長存在哪些難點、痛點，又該如何解決呢？

2020年12月29日，在行家說於深圳舉辦的第三代半導體產業高峰論壇上，東莞市天域半導體科技有限公司的生產總監，孔令沂博士，將作

《SiC器件外延生長技術及其挑戰》主題分享，為企業剖析行業難點，分享最新技術，敬請期待！

演講嘉賓：

孔令沂 博士

主題：

SiC器件外延生長技術及其挑戰

演講亮點：

介紹SiC外延生長技術及量產過程中遇到的問題，包括不同型別的外延裝置在SiC外延工藝中的特點；分享當前SiC外延工藝的技術更新方向，以及未來SiC外延產業的發展趨勢。

嘉賓簡介

孔令沂博士

東莞市天域半導體科技有限公司生產總監

2011年畢業於山東大學寬禁帶半導體材料方向，曾任職於德國Aixtron，現任東莞市天域半導體科技有限公司生產總監，2019年被評為“東莞市特色人才”，發表SCI科技論文19篇，獲發明專利授權6項。