Hinton、DALL-E 2 皆上榜,盤點 AI 影象 10 年合成史!
在下面的時間線裡,將會追溯一些里程碑式的時刻,例如 AI 影象合成的論文、架構、模型、資料集、實驗登場的時候
氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)的區別
WBG電晶體的競爭GaN和SiC器件都與其他成熟的半導體競爭,特別是矽LDMOS MOSFET、超級結MOSFET和IGBT
朱儁彥團隊提出GAN壓縮演算法:計算量減少20倍,生成效果不變,GPU、CPU統統能加速
GAN壓縮的框架如下圖所示,主要分為3個部分:1、給定一個預訓練的teacher生成器G’,透過蒸餾的方法獲取一個較小的“once-for-all”的student生成器G,其中包括透過權重共享的所有可能通道數
宏光半導體(06908.HK):站上“新半軍”風口,前期佈局漸入收穫期
外延方面,宏光半導體具備全球視野,依託香港開放的市場環境,收購或投資全球範圍內具備較高發展潛力的第三代半導體企業,以快速擴張業務版圖,包括快速電池充電系統解決方案提供商GSR GOHolding Corporation,以色列GaN相關產品
2021年了!還是有人不知道氮化鎵充電器,用起來真香
但事實上,領券入手iFory安福瑞的65W 氮化鎵GaN充電器,單個的價格只要99元,也是價效比最高的一款,並且iFory安福瑞的充電器和資料線都支援18個月的超長質保,如果在使用中出現問題,可以直接免費為使用者更換新的配件,就是這些條件加
第三代半導體材料特性對比
第三代半導體主要指的是以GaN,SiC,InN 化合物為代表的寬禁帶材料,相比於第二代半導體,其具有高電子遷移率,高電子濃度,耐高溫,抗輻射等優點,更適宜於製作高溫、高頻以及大功率器件,目前,實驗測得GaN 材料的結構主要有以下三種,分別是
氮化鎵充電器體積能縮小30%-50%,未來發展趨勢如何?
氮化鎵充電器給整個行業帶來了改變,一時之間成為行業的風口,從剛開始出現的30W到現在的140W、200W,相信未來還會有更多可能
IEEE TNNLS|GAN的生成器反演
不同模型在三個資料集上的MSE四、總結GAN的生成器學習對映G : Z → X,在Z空間中某個的z值產生在影象空間中和影象x相似的樣本
鎵未來完成近億元A+融資,深啟投資擔任獨家財務顧問
鎵未來成立於2020年10月,致力於高階氮化鎵功率器件的研發、設計和生產,為客戶提供更高效率、更小體積、更低成本的矽基氮化鎵器件產品和整體解決方案
中科院大連化物所揭示極性誘導的空間電荷分離促進光催化全分解水
近日,中國科學院合作,在人工光合成體系光生電荷分離研究方面取得新進展:發現極性誘導的表面電場有效促進了光生電荷的空間分離,並大幅提升光催化全分解水的活性
Ian Goodfellow線上直播實錄:關於GANs的那些不為人知的事兒
Ian Goodfellow:我對基因組學沒有太多的瞭解,但我認為用於半監督學習的 GAN 模型可能會對該領域有非常重要的作用
2022-04-15GaNIanGoodfellow學習模型
聯想100W氮化鎵GaN充電器 質量怎麼樣?一定要了解的評測情況
答:辦公足夠了,打遊戲就要換原裝300瓦那個答:辦公和紙牌掃雷沒問題,3a大作還是要300w的原裝電源問:你們的發燙嘛 40%衝到100% 插頭好熱 你們會嗎答:燙手答:巨燙,手不能在上面5秒,問:給小新pro14用,原裝是95w的,準
Enkris 釋出全綵 GaN 系列
透過採用其帶隙調諧技術,Enkris 將其 GaN-on-silicon LED 外延晶圓產品組合擴充套件到 200mm 矽襯底上的全綵 GaN RGB 系列產品(波長:390~650nm)
電之集大成者——omthing65W氮化鎵充電頭讓充電更便利
用USB-A口測試,達到17W的充電功率,可見這個介面對於華為手機非常友好
迴圈生成網路 CycleGan 原理介紹
CycleGan是一個神經網路,可以學習兩個域之間的兩個資料轉換函式
今日 Paper|PolarMask;時間序列;面部表情編輯;ELECTRA 等
目錄PolarMask: 一階段例項分割新思路特例化的時間序列模型特徵重要度度量Cascade EF-GAN:以區域性焦點進行漸進式面部表情編輯ELECTRA:預訓練文字編碼器 作為鑑別器而不是生成器FOAL:用於心臟運動估計的快速線上自適
氮化鎵產業鏈全景深度解析
矽基GaN市場快速增長:資料來源:Yole目前主流氮化鎵器件公司都採用碳化矽襯底,因為基於碳化矽襯底的氮化鎵器件比矽襯底氮化鎵器件效能更好,良率更高,更能體現氮化鎵材料優勢
華為雙口充電器評測,支援多種充電協議,筆記本、手機一個搞定
而現在你只要擁有一個華為GaN雙口充電器就可以滿足不同裝置的充電需求了,非常的方便
基於碳化矽襯底的寬禁帶半導體外延
引入 AlN 緩衝層能夠有效改善 SiC 表面浸潤層,調控應力,阻擋襯底缺陷向 GaN 外延層的延伸,從而改善 GaN外延層質量
《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵金屬氧化物的表面製備和柵極氧化物沉積
書籍:《炬豐科技-半導體工藝》文章:氮化鎵金屬氧化物的表面製備和柵極氧化物沉積編號:JFKJ-21-286作者:炬豐科技摘要本文綜述了極性氮化鎵(GaN)表面、表面處理和表面處理的相關文獻綜述了與金氧半導體器件相關的柵介質