IPO估值|乘賽道東風 東微半導仍須努力
與高壓超級結MOS類似,公司第二大產品中低壓遮蔽柵MOSFET同樣具有技術優勢,它比溝槽柵 VDMOS結構更復雜,需要更高的技術能力及製造工藝水平,效能也更好
這家IGBT龍頭企業淨利潤大漲120.54%,未來將發力碳化矽晶片
圖片來源:斯達半導斯達半導表示,募集資金專案的實施,有助於加快我國第三代半導體功率器件的技術突破,實現新能源汽車核心器件的國產化,改善智慧電網、軌道交通等基礎設施關鍵零部件嚴重依賴進口的局面,推動高壓特色工藝功率晶片和SiC晶片國產化程序
斯達半導漲6.22%,廣發成長精選混合A基金2021年報重倉該股
7303(3月22日),較上一日下跌1