第三代半導體材料特性對比
第三代半導體主要指的是以GaN,SiC,InN 化合物為代表的寬禁帶材料,相比於第二代半導體,其具有高電子遷移率,高電子濃度,耐高溫,抗輻射等優點,更適宜於製作高溫、高頻以及大功率器件,目前,實驗測得GaN 材料的結構主要有以下三種,分別是
射頻等離子體處理工藝,提升硫鈍化GaAs(100)的表面特性
射頻等離子體處理方法,引導含硫Ar等離子體轟擊GaAs樣品,使硫與GaAs反應形成較厚的含硫鈍化層,鈍化效果能夠得到長時間保持
ACS nano:高應變同軸奈米線量子阱的強載流子限制作用
如圖1所示,STEM表徵了具有單同軸GaAs量子阱的GaAsP奈米線的微觀形貌和結晶特性