MOSFET理解與應用：Lec 5—NMOS、PMOS、CMOS

本期內容

NMOS、PMOS的結構

CMOS的結構

電學符號

電學行為

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1、NMOS、PMOS的結構

咱們前幾期講的一直是NMOS，導電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結構上的不同點在於半導體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎上加了兩塊重摻雜的P型半導體，這兩塊兩塊重摻雜的P型半導體分別為PMOS的源級和漏極，金屬部分和NMOS一樣仍然作為柵極。PMOS導電靠的是溝道中的空穴。

2、CMOS的結構

CMOS的電路原理我們後面再講，這裡先介紹下它的結構。CMOS是指把NMOS和PMOS做在一個基板上，是怎麼實現的呢？看下圖一目瞭然，不需要解釋了把。

3、

電學符號

不管箭頭畫在哪一側，NMOS箭頭向外，PMOS箭頭向裡，對應上面的結構圖，一個記憶方法是，箭頭總是從P型摻雜半導體指向N型摻雜半導體。

4、

電學行為

NMOS電壓低的一端是源級，因為靠電子導電，低電壓的一端是電子的源泉，電子從源級流向漏極。

PMOS電壓高的一端是源級，因為靠空穴導電，高電壓的一端是空穴的源泉，空穴從源級流向漏極。（可以這麼理解）

NMOS柵極金屬的電壓高於半導體的電壓，溝道中才能聚集自由電荷，而PMOS剛好相反，柵極金屬的電壓必須小於半導體的電壓，溝道中才能聚集空穴。

NMOS和PMOS的柵極、源級、漏極所加電壓和工作區域的對應關係總結如下表：

這張表雖然簡單，但很重要，大家收藏下