Si基GaN 射頻器件研究進展
圖7 OMMIC公司釋出的0.1μmSi基 GaN 收發晶片2 Si基 GaN 射頻器件研製圖8為 制 備 的 0.25 μm 和 0.4 μm 柵 長 的 Si基GaN 材料與器件結構示意圖,本 結 構 的 外 延 層 總 厚 度僅有2μ
2022-07-14器件射頻鈍化襯底柵長
清華團隊首次實現亞1奈米柵長電晶體
近日,清華大學積體電路學院任天令教授團隊在小尺寸電晶體研究方面取得重要進展,首次實現了具有亞1奈米柵極長度的電晶體並具有良好的電學效能
2022-03-18電晶體柵極奈米柵長石墨