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電子特氣管道氦檢漏和5項測試介紹

2022-05-21由 沃飛集中供氣系統 發表于 林業

測試漏測率怎麼算

電子特氣管道氦檢漏和5項測試介紹

裝置主管路主要是通各種特種氣體,需做測試專案有:耐壓測試、保壓測試、氦檢測試、水分測試、氧分測試、顆粒測試。

電子特氣管道氦檢漏和5項測試介紹

特氣管道

P2=測試結束壓力值 (PSIG)

P1=測試開始壓力值(PSIG)

T2=測試結束溫度值 (℃)

T1=測試開始溫度值(℃)

Pta=考慮到溫度影響的壓力變化值

2。3測試工具

保壓計

2。4測試方法

1。將氣源用金屬管道連線至系統入口端。

2。慢慢開啟隔離閥。

3。每次增加 10 PSIG,緩慢的將系統壓力增加到最終測試壓力的50% 。觀察壓力錶10 到15 分鐘,看系統有無洩漏。如壓力錶顯示系統有洩漏,則減小系統壓力並處理漏點。重複上述操作。

4。確認系統無任何洩漏後,慢慢的增加系統壓力到測試值,斷開氣源,記錄好溫度、時間、壓力值,24H後觀察壓力是否有壓降。

5。在系統的壓力穩定並顯示無任何壓降後,在壓力測試報告中記錄測試開始時的溫度、時間和壓力值。

2。5測試結束後注意事項

1。在測試報告中記錄下測試的引數。將系統的壓力釋放,在進行氦測漏之前用高純N2對系統進行持續的吹掃0。5H。

2。將壓力測試用的管線拆除,用堵頭來密封系統並使用新的墊片。

3。如果由溫度所引起的壓力下降超過了要求,透過關閉測試範圍內的系統閥門來 開所有的潛在漏點,觀察各個不同隔離部分的壓降。

4。在將漏點隔離和修復之後,重複上述測試步驟。

3.氦質譜檢漏測試

3。1測試目的

利用氦質譜儀感測漏入系統中的微量的氦氣來測漏,並根據檢測到的氦氣的量來確定漏率的大小。

3。2相關名詞及解釋

真空度:處於真空狀態下的氣體稀薄程度,通常用“真空度高”和“真空度低”來表示。

真空度單位:Torr 、Pa。

1託=1/760大氣壓=1毫米汞柱

1託=133。322帕

1帕=7。5×10-3託

漏率:密閉真空空間在外界標準大氣壓和單位時間內, 物質洩漏的速率。

漏率常用單位:Pa。m3/sec、mbar。l/sec、atm。cc/s

10 Pa。m3/sec=1 mbar。l/sec=1 atm。cc/s

分子泵:透過高速旋轉的葉輪,當氣體分子與渦輪葉片相碰撞時就被驅向出氣口再由前級泵抽除。

3。3測試儀器

氦質譜檢漏儀

3。4測試前準備

1。系統成功的的通過了保壓檢漏。

2。確認系統的所有部件都能承受得住真空狀態而不損壞。

3。先對測漏儀本身閥組及連線管路進行漏率檢測。

4。測漏儀與系統管路接通前,要將被測系統內的氣體釋放掉。

5。緩緩開啟測漏儀入口處的閥門,將測漏儀與管路系統隔離閥之間的管路抽真空,直至測漏儀顯示的背景漏率低於 1× 10-9 mbar。l/s。

6。對連線管路上所有的焊道及機械連線處進行氦氣噴吹。

3。5測試方法

1。確認系統中所有的閥門和調壓閥都是全開的。

2。確認系統中的壓力為0,如果系統中還有正壓,要先將系統中的氣體放掉。

3。緩緩開啟檢漏儀入口處的閥門,開始將系統抽成真空狀態。遵照檢漏儀的操作說明操作,直至達到可以檢測的狀態。

4。記錄下檢漏儀的背景氦漏率,該背景氦漏率低於1 ×10-9 mbar。l/s以後,才可以進行噴吹工作。

5。從最靠近檢漏儀的焊道或連線處開始檢測,將氦氣用噴槍噴吹到焊道或連線處,使得氦氣會停留在焊道或連線處一段時間,確認沒有洩漏後,進行下一個焊道或連線處的檢測,直到最後一個焊道或連線處。

6。如果發現檢漏儀的指示值有上升的現象,待到檢漏儀讀值恢復正常後,重新檢測該焊道或連線處以確認其是否真的有漏,如果確認不是該焊道或連線處有漏,要依次檢測該焊道或連線處之前的焊道或連線處,直到找到漏點為止。

7。直至所有的接點都被檢測到,檢測合格的接點要貼合格標誌。所有的接點都噴吹過氦氣後,繼續觀察檢漏儀的讀值10分鐘左右,確認讀值沒有異常後才可以將系統與儀器之間分離開。

8。如果每個接點的氦氣漏率都低於1× 10-9 mbar。l/s,說明該系統的漏率是符合要求的。測試人員可以將檢測結果記錄在檢測報告裡了。

9。將檢漏儀與系統分開。

4.水分、氧分、顆粒檢測(三臺儀器並聯使用)

4。1測試目的和測試標準

水分檢測的目的主要是為了避免管道內水含量過高時,會發生化學反應,對製程造成影響。

氧分檢測的目的主要是為了避免管道內氧含量過高時,會發生化學反應,對製程造成影響。例如,晶片在生產過程中,原本大氣中O2會和Si產生化學反應:O2+Si=SiO2,為原始的氧化成,如果管道內的氧含量過高,原始的氧化層會超出原本已經計算好的厚度,如此會嚴重影響接下來各階段的製程。

顆粒檢測主要是檢測管道內微粒子的粒徑大小和數量多少。如果管道內微粒子過多會對Wafer良率影響很大。

檢測標準:

水分檢測

≤10ppb

氧分檢測

≤10ppb

顆粒檢測

0。1um≤5pcs,0。1um以上為0pcs

4。2測試儀器

水分儀

氧分儀

顆粒儀

4。3測試方法

1。將吹掃氣源連線到系統進氣端,所有閥門處於開啟狀態。

2。連續吹掃2H後用金屬管路連線系統出氣端至測試儀器進氣端。使氣體通入儀器,10分鐘後開啟電源,設定儀器各項引數後開始測試。

3。待測試資料達到標準要求後,記錄測試資料,關閉進氣端和出氣端閥門,使管道內保持正壓。

4。測試儀器斷電,儀器與裝置分離。

電子特氣管道氦檢漏和5項測試介紹

P2=測試結束壓力值 (PSIG)

P1=測試開始壓力值(PSIG)

T2=測試結束溫度值 (℃)

T1=測試開始溫度值(℃)

Pta=考慮到溫度影響的壓力變化值

2。3測試工具

保壓計

2。4測試方法

1。將氣源用金屬管道連線至系統入口端。

2。慢慢開啟隔離閥。

3。每次增加 10 PSIG,緩慢的將系統壓力增加到最終測試壓力的50% 。觀察壓力錶10 到15 分鐘,看系統有無洩漏。如壓力錶顯示系統有洩漏,則減小系統壓力並處理漏點。重複上述操作。

4。確認系統無任何洩漏後,慢慢的增加系統壓力到測試值,斷開氣源,記錄好溫度、時間、壓力值,24H後觀察壓力是否有壓降。

5。在系統的壓力穩定並顯示無任何壓降後,在壓力測試報告中記錄測試開始時的溫度、時間和壓力值。

2。5測試結束後注意事項

1。在測試報告中記錄下測試的引數。將系統的壓力釋放,在進行氦測漏之前用高純N2對系統進行持續的吹掃0。5H。

2。將壓力測試用的管線拆除,用堵頭來密封系統並使用新的墊片。

3。如果由溫度所引起的壓力下降超過了要求,透過關閉測試範圍內的系統閥門來 開所有的潛在漏點,觀察各個不同隔離部分的壓降。

4。在將漏點隔離和修復之後,重複上述測試步驟。

3.氦質譜檢漏測試

3。1測試目的

利用氦質譜儀感測漏入系統中的微量的氦氣來測漏,並根據檢測到的氦氣的量來確定漏率的大小。

3。2相關名詞及解釋

真空度:處於真空狀態下的氣體稀薄程度,通常用“真空度高”和“真空度低”來表示。

真空度單位:Torr 、Pa。

1託=1/760大氣壓=1毫米汞柱

1託=133。322帕

1帕=7。5×10-3託

漏率:密閉真空空間在外界標準大氣壓和單位時間內, 物質洩漏的速率。

漏率常用單位:Pa。m3/sec、mbar。l/sec、atm。cc/s

10 Pa。m3/sec=1 mbar。l/sec=1 atm。cc/s

分子泵:透過高速旋轉的葉輪,當氣體分子與渦輪葉片相碰撞時就被驅向出氣口再由前級泵抽除。

3。3測試儀器

氦質譜檢漏儀

3。4測試前準備

1。系統成功的的通過了保壓檢漏。

2。確認系統的所有部件都能承受得住真空狀態而不損壞。

3。先對測漏儀本身閥組及連線管路進行漏率檢測。

4。測漏儀與系統管路接通前,要將被測系統內的氣體釋放掉。

5。緩緩開啟測漏儀入口處的閥門,將測漏儀與管路系統隔離閥之間的管路抽真空,直至測漏儀顯示的背景漏率低於 1× 10-9 mbar。l/s。

6。對連線管路上所有的焊道及機械連線處進行氦氣噴吹。

3。5測試方法

1。確認系統中所有的閥門和調壓閥都是全開的。

2。確認系統中的壓力為0,如果系統中還有正壓,要先將系統中的氣體放掉。

3。緩緩開啟檢漏儀入口處的閥門,開始將系統抽成真空狀態。遵照檢漏儀的操作說明操作,直至達到可以檢測的狀態。

4。記錄下檢漏儀的背景氦漏率,該背景氦漏率低於1 ×10-9 mbar。l/s以後,才可以進行噴吹工作。

5。從最靠近檢漏儀的焊道或連線處開始檢測,將氦氣用噴槍噴吹到焊道或連線處,使得氦氣會停留在焊道或連線處一段時間,確認沒有洩漏後,進行下一個焊道或連線處的檢測,直到最後一個焊道或連線處。

6。如果發現檢漏儀的指示值有上升的現象,待到檢漏儀讀值恢復正常後,重新檢測該焊道或連線處以確認其是否真的有漏,如果確認不是該焊道或連線處有漏,要依次檢測該焊道或連線處之前的焊道或連線處,直到找到漏點為止。

7。直至所有的接點都被檢測到,檢測合格的接點要貼合格標誌。所有的接點都噴吹過氦氣後,繼續觀察檢漏儀的讀值10分鐘左右,確認讀值沒有異常後才可以將系統與儀器之間分離開。

8。如果每個接點的氦氣漏率都低於1× 10-9 mbar。l/s,說明該系統的漏率是符合要求的。測試人員可以將檢測結果記錄在檢測報告裡了。

9。將檢漏儀與系統分開。

4.水分、氧分、顆粒檢測(三臺儀器並聯使用)

4。1測試目的和測試標準

水分檢測的目的主要是為了避免管道內水含量過高時,會發生化學反應,對製程造成影響。

氧分檢測的目的主要是為了避免管道內氧含量過高時,會發生化學反應,對製程造成影響。例如,晶片在生產過程中,原本大氣中O2會和Si產生化學反應:O2+Si=SiO2,為原始的氧化成,如果管道內的氧含量過高,原始的氧化層會超出原本已經計算好的厚度,如此會嚴重影響接下來各階段的製程。

顆粒檢測主要是檢測管道內微粒子的粒徑大小和數量多少。如果管道內微粒子過多會對Wafer良率影響很大。

檢測標準:

水分檢測

≤10ppb

氧分檢測

≤10ppb

顆粒檢測

0。1um≤5pcs,0。1um以上為0pcs

4。2測試儀器

水分儀

氧分儀

顆粒儀

4。3測試方法

1。將吹掃氣源連線到系統進氣端,所有閥門處於開啟狀態。

2。連續吹掃2H後用金屬管路連線系統出氣端至測試儀器進氣端。使氣體通入儀器,10分鐘後開啟電源,設定儀器各項引數後開始測試。

3。待測試資料達到標準要求後,記錄測試資料,關閉進氣端和出氣端閥門,使管道內保持正壓。

4。測試儀器斷電,儀器與裝置分離。