《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵金屬氧化物的表面製備和柵極氧化物沉積

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：氮化鎵金屬氧化物的表面製備和柵極氧化物沉積

編號：JFKJ-21-286

作者：炬豐科技

摘要

本文綜述了極性氮化鎵（GaN）表面、表面處理和表面處理的相關文獻綜述了與金氧半導體器件相關的柵介質。研究了氮化鎵生長技術和生長引數對氮化鎵效能的重要意義 利用原位和非原位工藝修改氮化鎵表面性質的能力以及氮化鎵金氧半導體的認識和效能研究進展（MOS）器件的介紹和討論。分析缺陷集中的挑戰和GaN MOS柵極堆的能量進行了討論。

介紹

氮化鎵（GaN）是一種高擊穿的寬頻隙（3。4 eV）半導體材料。因此，適用於高頻，高功率和高溫應用。直到最近，氮化鎵在LED市場以外的商業電子裝置上的使用才有所改變 。然而，氮化鎵基的高電子遷移率電晶體（HEMTs）已經被廣泛應用 自2006年開始在市場上銷售，並已用於各種無線應用。

圖1所示。（a）商用AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體的例子 （HEMTs）結構；（b）的能帶結構。

表面氮化鎵

氮化鎵可以存在於立方晶體結構（閃鋅礦相）或六角晶體結構（纖鋅礦相）中。極六方晶體結構是最具技術價值的晶體結構。因此，極性GaN是本綜述的相關表面。極面具有Ga面 終止面用米勒指數（0001）表示。

表面損壞

氮化鎵面處理

圖6。氮化鎵表面的x射線光電子能譜（XPS） 各種水清洗處理。在某些情況下，治療可能（a）達到目的 汙染物去除； 但（b）處理後在表面產生殘留物。

氮化鎵金氧半導體

本節將重點介紹金屬氧化物/氮化鎵半導體器件的研究報告

金氧半導體