華為突然公佈EUV光刻機專利，中國的光刻機再獲突破，ASML懵了

華為近日公佈了一項名為“反射鏡、光刻裝置及控制方法”的EUV光刻機專利，華為突然介入光刻機行業，以華為以往向來不打無準備之仗的慣例，這意味著華為在光刻機方面已取得了重大突破，對中國的光刻機產業無疑是重大的助力。

業界都清楚光刻機是一項技術密集度極高的產品，而EUV光刻機更是科技的皇冠，ASML的EUV光刻機就需要10萬多個零部件，需要全球5000多家供應商供應，這些供應商分別在美國、德國、日本等地，可以說沒有任何一家企業可以獨立完成EUV光刻機的製造。

正是由於EUV光刻機的技術難度，目前全球僅有ASML一家能生產出EUV光刻機，ASML也依靠獨有的EUV光刻機獲取了豐厚的利潤，而ASML深受美國的影響，在美國的影響下導致ASML無法自由出貨EUV光刻機，甚至成為中國晶片製造的最大障礙。

近幾年來中國極力發展晶片製造產業鏈，經過近十年來的努力，中國在晶片製造的八大環節都已達到14nm，刻蝕機更已達到5nm，而晶片封測技術已達到3nm，僅有光刻機還停留在28nm以上。

面對如此窘境，中國的晶片產業鏈急需一個強力的企業推動光刻機打破這個最後的瓶頸，而華為研發EUV光刻機技術，無疑為中國的光刻機打開了一個視窗，意味著中國在光刻機技術上開創了新局面。

華為研發的“反射鏡、光刻裝置及控制方法”的EUV光刻機專利，其實就是光刻機的核心技術之一，從90nm工藝以來，DUV光刻機所採用的光源都是193nm的光源，而EUV光源則是13。5nm，透過在水等介質的多次折射得到相應波長的光線，從而實現了以193nm光源生產65nm至7nm工藝、13。5nm光線實現7nm至2nm的工藝，華為的研發的光刻機技術應該就是為了解決這個核心技術問題。

華為親自下場研發光刻機，在於它已深刻認識到等待美國“解禁”EUV光刻機遙遙無期，畢竟如今美國連14nm以下的DUV光刻機都不讓ASML出售給中國，如此華為親自下場研發EUV光刻機技術，可以加速中國的光刻機技術的進展。

華為此前的技術研發也證明了它一旦公開了相關的專利，就意味著它在技術研發上已取得了突破，畢竟它擁有近20萬的技術研發人員，每年投入的技術研發資金高達千億，即使是當下它的業務面臨窘境，仍然堅持千億研發投入，所以它取得光刻機技術突破應該可信的。

國產的光刻機已形成了一條完整的產業鏈條，成為全球唯一擁有光刻機全產業鏈的經濟體，雙工作臺、光學系統、物鏡系統、光源系統方面都已有相關企業研發成功，如今華為在光線折射技術方面的突破，無疑將補上最後的短板，如此國產EUV光刻機成為現實的日子進一步靠近。

國產光刻機的技術突破對ASML無疑是巨大的威脅，或許正是感受到中國在光刻機技術方面的突破，ASML表示它是一家歐洲企業擁有自由出貨的距離，同時大舉擴張它在中國的員工數量，近期又計劃在未來數年大幅擴張DUV光刻機、EUV光刻機的產能，業界人士普遍認為這是ASML為了向中國出售光刻機做準備。

以往在諸多技術行業都證明了只要中國取得技術突破，海外企業就會迅速大舉供貨並降低價格，如今ASML面對中國在光刻機方面的突破，或許它對中國出售EUV光刻機的腳步也快了。