「精選博文」SDRAM理論基礎講解

每日學習時間到了，由於本人上週出差，未能及時更新，望海涵！

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SDRAM常識性知識普及

關於SDRAM的基本概念，在這先引用《終極記憶體指南》這篇文章中的一段話，

“SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步動態隨機儲存器。同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證儲存的資料不丟失，因為SDRAM中儲存資料是透過電容來工作的，大家知道電容在自然放置狀態是會有放電的，如果電放完了，也就意味著SDRAM中的資料丟失了，所以SDRAM需要在電容的電量放完之前進行重新整理；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是自由指定地址進行資料的讀寫。”

這只是對SDRAM的概念介紹，下面再簡單的看一下SDRAM的內部結構。

對於SDRAM的內容結構，就如同Excel的表格：

其中的一個小表格就是SDRAM內部的一個儲存單元，而要確定這個儲存單元的為止，只需要知道行地址（row address）和列地址（col address）就可以了。

這樣的一張表格就相當於是SDRAM的一個Bank，一般SDRAM有4個Bank，也就是相當於有4張這樣的表格。

所以SDRAM的容量計算方式為：

SDRAM容量 = 資料位寬 x 儲存單元數量（行地址 x 列地址 x Bank數）

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SDRAM引腳介紹

講SDRAM的引腳，就必須要看SDRAM的datasheet。

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學習SDRAM初始化的配置過程

對於的初始化，也是需要參考官方文件的。

對於初始化過程，首先需要有200us的一個延時，在延時滿足之後，給一次Precharge命令，之後再給兩次Auto-refresh命令，最後進行模式暫存器配置。

當然對於這些命令與命令之間的延時引數，也是需要結合文件來確定的。

在設定模式暫存器的時候，需要配置潛伏期、突發型別、突發長度這幾個引數。這幾個引數是在進行配置命令時給addr這些引腳賦值決定的。

四、編寫SDRAM初始化模組並進行模擬

對於SDRAM初始化模組的編寫，我們可以先學習下SDRAM的初始化時序圖，然後再根據時序圖設計初始化模組的時序。

下邊是簡單設計的一個時序圖：

對這個時序圖，相信大家已經不用太多的解釋就可以看懂了。

關於初始化模組的程式碼，就由大家自己來完成了哦。

編寫完程式碼後，就進入到了SDRAM的模擬階段，模擬的話，需要用到SDRAM的模擬模型，並且修改對應的引數。

在例化好模組之後，可以先讓Modelsim執行201us，若初始化模組編寫正確，就可以再Modelsim中看到如下的列印資訊了：

這些資訊中包含了模式暫存器的配置資訊。