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DDR4,GDDR5和GDDR6GDDR6X之間的差異

2022-01-24由 四川人在香港 發表于 農業

ddr4x和ddr5實際使用差別大嗎

DDR4,GDDR5和GDDR6GDDR6X之間的差異

計算機記憶體主要有兩種型別:主記憶體(RAM)和圖形記憶體(VRAM)。

前者利用DDR4,而後者則利用GDDR5(和GDDR6)標準。但是兩者之間有什麼區別。

在這篇文章中,我們比較了DDR4和GDDR5(以及GDDR6),並研究了它們之間的異同。

DDR4與GDDR5 / GDDR6

DDR4,GDDR5和GDDR6GDDR6X之間的差異

DDR4的電壓低於GDDR5的

電壓,準確地說是1。2V。另一方面,GDDR5可以達到1。5v。這是因為後者基於DDR3記憶體標準,該標準也具有1。5v的備用電壓。

就記憶體頻率而言,

DDR4的執行速度與GDDR5X和GDDR6大致相同(1750

至1800MHz),但是圖形記憶體的工作方式意味著有效頻寬是原來的4倍(1750 x 4 = 7,000MHz)。

GDDR5X使電壓降至1。35v,同時將每個引腳的頻寬提高到16Gbit / s。

DDR4和DDR3均

每個通道上使用64位記憶體控制器,

這導致128位匯流排用於雙通道記憶體,而256位匯流排用於雙通道記憶體。四邊形-渠道。另一方面,GDDR5記憶體在每個通道上利用了一個微不足道的32位控制器。

雖然CPU記憶體配置具有更寬但更少的通道,但

GPU可以支援任意數量的32位記憶體通道

。這就是許多高階GPU(例如GeForce RTX 2080 Ti和RTX 2080)分別具有384位和256位匯流排寬度的原因。

兩種RTX 20系列卡均透過8個(用於2080年)和12個(用於Ti)32位記憶體控制器或通道連線到1GB記憶體晶片。GDDR5和GDDR6也可以在所謂的翻蓋模式下工作,在該模式下,每個通道而不是連線到一個儲存晶片上,而是分成兩個通道。這還使製造商能夠將儲存容量增加一倍,並使混合儲存配置(例如具有192位匯流排寬度的GTX 660)成為可能。

DDR4,GDDR5和GDDR6GDDR6X之間的差異

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GTX 670在八個通道中具有四個512 MB晶片

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GTX 660 Ti具有六個記憶體堆疊,頂部是翻蓋模式(每個堆疊包裝兩個晶片)。這樣可以將匯流排寬度減小到192位而不是256位

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GTX 660 PCB

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DDR4和GDDR5 / 6記憶體之間的另一個核心區別是I / O週期

。就像SATA硬碟,DDR4只能在一個週期內執行一項操作(讀或寫)。GDDR5和GDDR6可以在同一週期內處理輸入(讀取)和輸出(寫入),實質上使匯流排寬度加倍。

還有突發長度(每次傳輸傳輸的資料)和預取的問題。

DDR4的BL為8,GDDR5的BL8也為8n

(每個讀或寫32個位元組)。但是,GDDR5X和GDDR6將其增加到16。

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所有這些可能會使DDR4記憶體陷入困境,但此配置實際上適合兩種設定。CPU本質上是順序的,而GPU執行數千個並行核心。前者受益於低延遲和更纖細的通道,而GPU需要更高的頻寬和寬鬆的時序。

GDDR5與GDDR5X與GDDR6

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GDDR6之前是GDDR5X,它更像是半代升級。

GDDR5X每引腳的傳輸速率高達14GBit / s,是GDDR5的兩倍,

同時電壓也從1。5v降低到1。35v。

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這是透過使用較高的預取來實現的。與GDDR5不同,

GDDR5X具有16n的預取架構(與G5上的8n相比)。

這樣,它就可以在每個週期(每個通道)中獲取64位元組(512位)的資料,而GDDR5被限制為32位元組(256位)。同樣,GDDR5X還具有更高的突發長度16(

與DDR5一樣

),這使記憶體每次傳輸最多可獲取64B快取記憶體行。GDDR5和DDR4的突發長度限制為8(或每個週期32B x 2)和8n的預取。

要了解突發長度的含義,您需要知道如何訪問記憶體。當CPU或快取記憶體請求新資料時,該地址將傳送到記憶體模組和所需的行,然後在該行之後定位該列(如果不存在,則載入新行)。請記住,每步操作都會有延遲。然後整列以突發方式透過記憶體匯流排傳送。對於DDR4和GDDR5,每個突發為8(或16B)。使用DDR5(和GDDR5X / 6)時,它已增加到多達32個(最大為64B)。每個時鐘有兩個脈衝串,它們以有效資料速率發生。

DDR4,GDDR5和GDDR6GDDR6X之間的差異

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與GDDR5X一樣,GDDR6的預取時間為16n,但它分為兩個通道。因此,與GDDR5X一樣,GDDR6每個通道提取32個位元組,總共64個位元組,是GDDR5的兩倍。儘管這並不能提高GDDR5X的記憶體傳輸速度,但可以提供更多的通用性。突發長度也與16(64B)時的GDDR5X相同。

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GDDR6可以在兩個獨立的通道中獲取與GDDR5X相同數量的資料,從而使它可以像兩個較小的晶片一樣工作,而不是一個更寬的晶片。

除此之外,GDDR6還將密度提高到16Gb(與GDDR5X相比提高了2倍,JEDEC最大為32Gb),並且透過將基本時鐘從12Gbps增加到高達14Gbps(最大16Gbps)來顯著提高了頻寬。

GDDR6和GDDR6X

NVIDIA是首家在其RTX 30系列GPU中(至少是高階GPU)選擇GDDR6X記憶體的供應商。它將每引腳頻寬從14Gbps增加到21Gbps,並將總頻寬增加到1008GB / s,甚至超過了3072位寬的HBM2堆疊。

DDR4,GDDR5和GDDR6GDDR6X之間的差異

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GDDR6X記憶體背後的秘密是PAM4編碼。簡而言之,與使用NRZ或二進位制編碼的GDDR6相比,它使每個時鐘的資料傳輸量增加了一倍。

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使用NRZ,您只有兩個狀態,0和1。PAM4將其翻倍為四個,00、01、10和11。使用這四個狀態,您可以在每個週期傳送四個資料位(每個邊沿兩個)。PAM4的缺點是價格昂貴,尤其是在GDD6X的較高頻率下。這就是為什麼以前沒有人嘗試在使用者記憶體中實現它的原因。

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這是一個缺點。儘管GDDR6的突發長度為16位元組(BL16),但GDDR6X限於BL8或8位元組,但是由於PAM4信令,其每個16位通道也將在每次操作中提供32個位元組。因此,頻寬的大部分改善都來自GDDR6X上更高的工作頻率。

請記住,GDDR6X不是JEDEC標準,而是Micron的專有解決方案。

高頻寬記憶體(HBM)

高頻寬記憶體或HBM首先由AMD的Fiji顯示卡普及,它是具有寬匯流排的低功耗記憶體標準。與GDDR5相比,HBM可獲得更高的頻寬,而尺寸卻小得多。

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HBM採用低至500 MHz的時鐘來滿足低TDP目標,並透過大量匯流排(通常為4096位)來彌補頻寬的損失。AMD的Radeon RX Vega卡是在消費類硬體中實施HBM2的最佳示例。HBM2解決了HBM1的4GB限制,但是產量有限以及記憶體不足使AMD無法利用消費者GPU方面的優勢。

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